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上海新安纳电子科技有限公司 main business:硅溶胶和电子材料及相关产品的研发、生产并提供相关的技术服务和技术咨询,销售公司自产产品。 【依法须经批准的项目,经相关部门批准后方可开展经营活动】 and other products. Company respected "practical, hard work, responsibility" spirit of enterprise, and to integrity, win-win, creating business ideas, to create a good business environment, with a new management model, perfect technology, attentive service, excellent quality of basic survival, we always adhere to customer first intentions to serve customers, persist in using their services to impress clients.
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- 2008年07月01日
- 宋志棠
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- 金山区市场监管局
- 2008年07月01日
- 上海市金山工业区天工路285弄2幢
- 硅溶胶和电子材料及相关产品的研发、生产并提供相关的技术服务和技术咨询,销售公司自产产品。 【依法须经批准的项目,经相关部门批准后方可开展经营活动】
类型 | 名称 | 网址 |
网站 | 上海新安纳电子科技有限公司 | www.xinanna.com |
序号 | 公布号 | 发明名称 | 公布日期 | 摘要 |
1 | CN103484025B | 一种自停止的GST化学机械抛光液及其制备方法和应用 | 2015.07.08 | 本发明涉及化学机械抛光领域,特别是涉及一种可有效应用于相变材料GST的自停止化学机械抛光液及其制备方 |
2 | CN102391787B | 一种用于硅单晶片抛光的抛光液及其制备与应用 | 2014.04.02 | 本发明属于硅片加工中的化学机械抛光领域,涉及一种用于硅单晶片抛光的抛光液及其制备和使用方法。本发明的 |
3 | CN102585705B | 一种用于蓝宝石衬底的化学机械抛光液及其应用 | 2014.02.05 | 本发明公开了一种高抛光速率的用于蓝宝石衬底的化学机械抛光液,包含有磨料、pH值调节剂、表面活性剂、消 |
4 | CN103484025A | 一种自停止的GST化学机械抛光液及其制备方法和应用 | 2014.01.01 | 本发明涉及化学机械抛光领域,特别是涉及一种可有效应用于相变材料GST的自停止化学机械抛光液及其制备方 |
5 | CN101857774B | 一种提高硅衬底化学机械抛光速率的抛光组合物及其应用 | 2013.12.25 | 本发明公开了一种提高硅衬底化学机械抛光速率的抛光组合物及其应用,本发明的抛光组合物,包括水、磨料和氟 |
6 | CN102061131B | 一种降低硅片表面微划伤的抛光液及其制备和使用方法 | 2013.06.19 | 本发明属于硅片加工中的化学机械抛光领域,涉及降低硅片表面微划伤的抛光液及其制备和使用方法。本发明的抛 |
7 | CN101818047B | 氧化硅-氧化铈核壳复合磨料颗粒及其制备和应用 | 2013.04.24 | 本发明属于微电子加工中的化学机械抛光浆液领域,具体涉及氧化硅-氧化铈核壳复合磨料颗粒及其制备和应用。 |
8 | CN101671538B | 一种氧化硅/氧化铈复合磨粒的制备方法 | 2012.10.10 | 本发明涉及一种氧化硅/氧化铈复合磨粒的制备方法,包括下列步骤:1)在硅溶胶中加入有机添加剂,搅拌溶解 |
9 | CN102585705A | 一种用于蓝宝石衬底的化学机械抛光液及其应用 | 2012.07.18 | 本发明公开了一种高抛光速率的用于蓝宝石衬底的化学机械抛光液,包含有磨料、pH值调节剂、表面活性剂、消 |
10 | CN102391787A | 一种用于硅单晶片抛光的抛光液及其制备与应用 | 2012.03.28 | 本发明属于硅片加工中的化学机械抛光领域,涉及一种用于硅单晶片抛光的抛光液及其制备和使用方法。本发明的 |
11 | CN102061131A | 一种降低硅片表面微划伤的抛光液及其制备和使用方法 | 2011.05.18 | 本发明属于硅片加工中的化学机械抛光领域,涉及降低硅片表面微划伤的抛光液及其制备和使用方法。本发明的抛 |
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